Публикации
Л.В. Топчиева, В.В. Таланова, А.Ф. Титов, И.А. Нилова, Н.С. Репкина, Ю.В. Венжик.
Влияние низких и высоких закаливающих и повреждающих температур на уровень транскриптов гена BI-1 у пшеницы
// Труды КарНЦ РАН. No 12. Сер. Экспериментальная биология. 2015. C. 45-54
Ключевые слова: Triticum aestivum L.; низкие и высокие температуры; устойчивость; экспрессия гена BI-1; программируемая клеточная смерть
Изучена динамика содержания транскриптов aнтиапоптотического гена BI-1 у растений озимой пшеницы (Triticium aestivum L.) сорта Московская 39 при воздействии низких (4 и –2 °С) и высоких (37 и 43 °С) закаливающих и повреждающих температур. Показано, что под влиянием низкой закаливающей температуры (4 °С) происходит постепенное повышение холодоустойчивости листьев проростков, сопровождающееся в начальный период накоплением транскриптов гена BI-1. При повреждающей температуре (–2 °С) холодоустойчивость клеток и уровень мРНК гена BI-1, напротив, снижаются. Воздействие высокой закаливающей температуры (37 °С) приводило к повышению теплоустойчивости проростков вплоть до окончания эксперимента (третьи сутки). Cодержание транскриптов гена BI-1 в листьях при этом значительно возрастало уже в начальный период теплового воздействия, а в дальнейшем сохранялось практически неизменным. При действии на проростки высокой повреждающей температуры (43 °С) первоначально происходил быстрый рост их теплоустойчивости и многократное повышение содержания транскриптов гена BI-1 в листьях, которые затем сменялись резким снижением этих показателей. На основании анализа холодо- и теплоустойчивости, а также уровня транскриптов гена BI-1 в клетках листьев пшеницы сделан вывод, что разные по интенсивности и характеру воздействия на растения (закаливающее и повреждающее) низкие и высокие температуры вызывают неодинаковые как в количественном, так и в качественном отношении изменения не только в их устойчивости, но и сопровождаются различными изменениями в экспрессии гена антиапоптотического белка BI-1.
DOI: 10.17076/eb236
Индексируется в РИНЦ
Последние изменения: 7 октября 2016